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>> LCOS技術賞析
LCOS技術賞析
更新時間:2007-10-9 14:28:41 ( 編輯:隨云 )
內容導航:
第1頁:LCOS技術概述
第2頁:LCOS技術原理
第3頁:LCOS技術特點
第4頁:LCOS技術優缺點
LCOS技術特點
LCOS是在傳統的LCD基礎上發展起來的,它繼承了LCD技術的優點,同時也克服了LCD的不足之處,所以LCOS擁有諸多LCD所不具備的優點。
1. 首先LCD是在石英玻璃基板上生長多晶硅,利用半導體技術在多晶硅(poly-silicon)上制作象素CMOS有源驅動電路和存儲電容,這樣無疑會占用象素一定的面積,導致開口率的。像素的開口率達到96%。(LCD一般是85%)。因此圖像畫面沒有像素感,畫面邊緣更自然。
2. 由于多晶硅(P-LCD)中電子遷移速率低,渡越時間比較長,所以顯示畫面會有延遲,直接影響到畫面的刷新速率。而在LCOS技術中,采用反射式結構,渡越時間大大減少,顯示畫面延時和DLP技術相同,為12ms,而P-LCD的延時,在20ms左右。
3. 其次,LCOS是反射式顯示技術,可以避免LCD由于光源長時間的照射溫升而導致LCD面板局部灼傷的問題。
4. LCOS的驅動電路做在反射電極下面,芯片的像素分辨率可以做得很高,通常LCOS的基本分辨率為1400×1050,而LCD和DLP的常規分辨率為1024×768。
5. LCOS的芯片為0.7",而P-LCD的顯示芯片為1.3",LCD面板尺寸過大,制作工藝難以保證顏色大面積的均勻性。
6. 體積小:LCOS可將驅動IC等外圍線路完全整合至CMOS基板上,減少外圍IC以及引線的數目,降低了封裝成本,并使體積縮小,一般XGA(1024×768)TFT-LCD的外圍引線達到2500多條。
7. LCOS以單晶硅基板上的CMOS點陣取代多晶硅TFT點陣。相比之下,前者生產技術更為成熟。LCOS的整個工藝,可以分為前道的半導體CMOS制造和后道的夜景面板貼合封裝過程。前道(0.35mm半導體工藝)CMOS電路設計、仿真、制造及測試技術都已經十分成熟,目前合格率可以達到90%以上;后道的液晶屏貼合封裝過程成品率為30%,但是隨著LCOS產品的發展和應用的增加,LCOS的價格下降空間還是很大的。
從與LCOS相關聯的顯示技術進行比較,它是與高溫多晶硅HTPS-LCD顯示技術,DMD(Digital Mirror Device)數字光處理顯示技術相對應的。簡單來說,LCOS是直接與陰極射線顯像管(CRT)顯示技術、高溫多晶硅液晶(Ploy-Si LCD)穿透式顯示技術、DMD(Digital Micromirror Device)數字光學處理(DLP; Digital Light Projector)反射式顯示技術具有相等同的地位。這三項技術目前發展已經相當成熟,但LCOS將成為大屏幕高分辨率低成本投影顯示技術的新主流。
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